[发明专利]高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板无效
| 申请号： | 201210273276.8 | 申请日： | 2012-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN102780467A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 李坡;李冬强;高志祥;袁波;谢科伟 | 申请（专利权）人： | 南京中电熊猫晶体科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水;陈勤 |
| 地址： | 210028 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种用于高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板，其特征是由A、B两版掩膜板构成；其中A版掩膜板完成高基频InverMesa晶片初镀的第一次镀膜过程，B版掩膜板完成晶片初镀的第二次镀膜过程。优点：A、B两版掩膜板的设计弥补了高基频InvertMesa晶片初镀过程晶片两面“孤岛”中心不同心等高的不足。在性能上使得晶体具有更好的频率稳定性，更低的相位噪声，更短的开关时间和更宽的拉升范围等优点；同时可以提高高基频InvertMesa晶片初镀过程晶片两面“孤岛”中心一致性的合格率，降低了生产过程中的损耗；此外A、B两版掩膜板的使用不需要安放辅助掩膜物体，生产方便，初镀效率得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 基频 invertmesa 晶片 镀膜 用掩膜板 | ||
【主权项】：
一种适用于高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板，其特征是由A、B两版掩膜板构成；其中A版掩膜板完成高基频InvertMesa晶片初镀的第一次镀膜过程，B版镀膜MASK完成高基频InvertMesa晶片初镀的第二次镀膜过程。
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