[发明专利]高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板无效
| 申请号： | 201210273276.8 | 申请日： | 2012-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN102780467A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 李坡;李冬强;高志祥;袁波;谢科伟 | 申请（专利权）人： | 南京中电熊猫晶体科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水;陈勤 |
| 地址： | 210028 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基频 invertmesa 晶片 镀膜 用掩膜板 | ||
1.一种适用于高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板，其特征是由A、B两版掩膜板构成；其中A版掩膜板完成高基频InvertMesa晶片初镀的第一次镀膜过程，B版镀膜MASK完成高基频InvertMesa晶片初镀的第二次镀膜过程。
2.根据权利要求1所述的一种适用于高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板，其特征是所述的A版掩膜板包括一晶片定位板、一镀膜电极下底板和一镀膜电极上盖板，其中一晶片定位板具有若干晶片限位槽，以在镀膜过程中放置并稳定晶片；一镀膜电极下底板具有与晶片定位板上限位槽对应的镂空部分和掩膜部分，置于晶片定位板下方以为晶片下表面提供镀膜电极；一镀膜电极上盖板具有与晶片定位板限位槽和电极下底板上镂空电极对应的镂空及掩膜部分，以固定晶片并为晶片上表面提供镀膜电极。
3.根据权利要求1所述的一种适用于高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板，其特征是：B版掩膜板包括一晶片定位板、一镀膜电极下底板和一镀膜电极上盖板；其作用与A版镀膜MASK作用相同，对应组件由A版掩膜板组件镜像对称得到。
4.根据权利要求1所述的一种适用于高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板，其特征是：所述的A版掩膜板作为高基频InvertMesa晶片初镀过程中第一次镀膜夹具，完成晶片在A版电极上盖板和下底板镂空部分镀上保护金属的过程；所述的B版掩膜板作为高基频InvertMesa晶片初镀过程中第二次镀膜夹具，完成晶片在B版电极上盖板和电极下底板镂空部分镀上保护金属的过程；两次镀膜完成后晶片除“孤岛”区域外均被保护金属覆盖。
5.根据权利要求1所述的一种适用于高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板，其特征是：高基频InvertMesa晶片两面“孤岛”区域两次镀膜中心保持同心等高。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京中电熊猫晶体科技有限公司，未经南京中电熊猫晶体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210273276.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
