[发明专利]高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板

说明书

技术领域

本发明涉及的是一种应用于高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板，属于石英电子元器件制作的生产技术领域。

背景技术

随着电子信息技术的飞速发展，频率元件的要求而今变得越来越高。作为频率元件的一种，石英晶体振荡器也面临更高的稳定性、更宽的上拉范围、更低的噪声和更短的开关时间等要求。在振荡器生产过程中，通过稳定刻蚀的方法在石英表面进行局部处理，可以获得超高基频的水晶片，通过这一技术生产的高基频InvertMesa晶片，制作成晶体振荡器产品后，相比于利用水晶片倍频技术，或IC倍频技术生产的产品，有更好的相位噪声，更小的抖动值等。对于常用频率，如155.52MHz、166.6285MHz及125MHz等，采用高基频InvertMesa晶片制成的晶体振荡器可以达到这样的参数指标：相位噪声≤-135dB1KHz、Rms Jitter≤1 Ps，可广泛应用于数据传输、以太网通讯等。由此可见高基频MESA晶片性能的优越性。

InvertMesa晶片镀膜过程需要分几步完成，在初镀时需要把晶片的四周全部镀上金属保护层（一般为金），同时晶片中心的InvertMesa区域（孤岛）需暴露在晶片表面，以便于后续局部腐蚀，因此设计初镀夹具的时候就遇到了一个问题：必须在晶片的中心设计一个“孤岛”型的掩膜区域。目前其他厂家的常规设计为在镀膜过程中用小磁片来遮挡“孤岛”区域，晶片先后进行两次镀膜，分别对晶片上下两表面进行镀膜处理，这样经常会出现晶片两表面“孤岛”区域的中心不同心、偏差大等问题，从而导致晶体的相位噪声变大，频率稳定性变差和短稳特性变差等问题的出现。而且这种方式仅适用于圆形InvertMesa晶片，因其中心的InvertMesa区域同样为圆形，磁片摆放容易，而条形晶片的InvertMesa区域不对称，若采用小磁片遮挡将难以控制两次镀膜“孤岛”中心的一致性。

发明内容

本发明提出的是一种用于高基频InvertMesa晶片初镀的镀膜用掩膜板，其目的在于避免高基频InvertMesa晶片初镀过程出现晶片两面InvertMesa“孤岛”中心不一致的缺陷而提供的一种适用于高基频InvertMesa晶片初镀过程保持晶片两面“孤岛”中心一致性的镀膜用掩膜板。

本发明的技术解决方案：其特征是由A、B两版掩膜板构成；其中A版掩膜板完成高基频InvertMesa晶片初镀的第一次镀膜过程，B版掩膜板完成高基频InvertMesa晶片初镀的第二次镀膜过程。

本发明的优点：A、B两版掩膜板的设计弥补了高基频InvertMesa晶片初镀过程晶片两面“孤岛”中心不同心等高的不足。在性能上使得晶体具有更好的频率稳定性，更低的相位噪声，更短的开关时间和更宽的拉升范围等优点；同时可以提高高基频InvertMesa晶片初镀过程晶片两面“孤岛”中心一致性的合格率，降低了生产过程中的损耗；此外A、B两版掩膜板的使用不需要安放辅助掩膜物体，生产方便，初镀效率得到提升。

附图说明

图1是A版掩膜板电极上盖板示意图，表明上盖板电极的分布及形状；

图3是A版掩膜板电极下盖板示意图，表明下盖板电极的分布及形状；

图2、4是高基频InvertMesa晶片初镀过程中第一次镀膜后晶片的外观图，分别表征晶片的两面，阴影部分表示该部分被保护金属覆盖；

图5是A版掩膜板定位板示意图，表明定位板上限位槽的分布及形状；

图6是A版掩膜板限位槽放大图，表明定位板上限位槽的具体外形；

图7是B版掩膜板电极上盖板示意图，表明上盖板电极的分布及形状；

图9是B版掩膜板电极下盖板示意图，表明下盖板电极的分布及形状；

图8、10是高基频InvertMesa晶片初镀过程中第一次镀膜后晶片的外观图，分别表征晶片的两面，阴影部分表示该部分被保护金属覆盖；

图11是B版掩膜板定位板示意图，表明定位板上限位槽的分布及形状；

图12是B版掩膜板限位槽放大图，说明定位板上限位槽的具体外形；

上述图2、4、8、10中三个阴影部分共同夹出的不规则多边形区域称为“孤岛”；十字形表征高基频InvertMesa晶片“孤岛”的中心。

具体实施方式

 对照附图，其结构是由A、B两版掩膜板构成；其中A版掩膜板完成高高基频InvertMesa晶片初镀的第一次镀膜过程，B版掩膜板完成高基频InvertMesa晶片初镀的第二次镀膜过程。