[发明专利]基板交接方法

摘要

本发明提供一种基板交接方法，能够将基板平坦地载置在载置台上，且解除静电吸盘的吸附将基板从载置台举起时，基板不容易发生异常放电。该基板交接方法包括：基板载置工序，在基板载置面（4c）的上方，使由第一升降销（8a）和位于比第一升降销（8a）低的位置的第二升降销（8b）支承的基板（G）下降，使基板（G）从基板（G）的中央部载置到基板载置面（4c）；利用静电吸盘（41）吸附载置在基板载置面（4c）的基板（G），对基板（G）进行等离子体处理的工序；和基板脱离工序，在等离子体处理结束后，解除静电吸盘（41）的吸附，使第一升降销（8a）和第二升降销（8b）为相同高度支承基板（G），使基板（G）从基板载置面（4c）脱离。

主权项

一种基板交接方法，其对于设置在对具有可挠性的基板进行等离子体处理的处理腔室内的、具备通过静电吸附来吸附所述基板的静电吸盘的载置台，交接所述基板，所述基板交接方法的特征在于：所述载置台包括：载置所述基板的基板载置面；第一升降销，其能够相对于该基板载置面突出和缩回并且支承所述基板的周缘部；和第二升降销，其能够相对于所述基板载置面突出和缩回并且支承所述基板的中央部，所述基板交接方法包括：基板载置工序，在所述基板载置面的上方，使由所述第一升降销和位于比所述第一升降销低的位置的第二升降销支承的所述基板下降，从所述基板的中央部将该基板载置到所述基板载置面；利用所述静电吸盘吸附载置在所述基板载置面的所述基板，对所述基板进行等离子体处理的工序；和基板脱离工序，在所述等离子体处理结束后，解除所述静电吸盘的吸附，使所述第一升降销与所述第二升降销为相同高度支承所述基板，使所述基板从所述基板载置面脱离。