[发明专利]基板交接方法有效
申请号: | 201210272877.7 | 申请日: | 2012-08-02 |
公开(公告)号: | CN102915944A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 志村昭彦 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 交接 方法 | ||
1.一种基板交接方法,其对于设置在对具有可挠性的基板进行等离子体处理的处理腔室内的、具备通过静电吸附来吸附所述基板的静电吸盘的载置台,交接所述基板,所述基板交接方法的特征在于:
所述载置台包括:
载置所述基板的基板载置面;
第一升降销,其能够相对于该基板载置面突出和缩回并且支承所述基板的周缘部;和
第二升降销,其能够相对于所述基板载置面突出和缩回并且支承所述基板的中央部,
所述基板交接方法包括:
基板载置工序,在所述基板载置面的上方,使由所述第一升降销和位于比所述第一升降销低的位置的第二升降销支承的所述基板下降,从所述基板的中央部将该基板载置到所述基板载置面;
利用所述静电吸盘吸附载置在所述基板载置面的所述基板,对所述基板进行等离子体处理的工序;和
基板脱离工序,在所述等离子体处理结束后,解除所述静电吸盘的吸附,使所述第一升降销与所述第二升降销为相同高度支承所述基板,使所述基板从所述基板载置面脱离。
2.如权利要求1所述的基板交接方法,其特征在于:
所述基板脱离工序,使所述第一升降销和所述第二升降销为相同高度,使具有所述可挠性的所述基板在多个部位向下突出地弯曲,使所述基板从所述基板载置面脱离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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