[发明专利]具有电流阻挡效应的垂直发光二极管及其制作方法无效
| 申请号： | 201210270749.9 | 申请日： | 2012-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN102779914A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 潘群峰 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有电流阻挡效应的垂直发光二极管及其制作方法。该LED结构包括：永久基板；p型GaN基外延层，位于所述永久基板之上；发光层，位于所述p型GaN基外延层之上；n型GaN基外延层，位于所述发光层之上；n电极，位于n型GaN基外延层之上；激光烧蚀部，形成于n型GaN基外延层与发光层之间，并且在垂直投影面上激光烧蚀部的位置与n电极对应。通过激光辐照热分解在n型GaN基外延层与发光层之间形成激光烧蚀区作为电流阻挡层，以改善电流分布，减小电极吸光。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电流 阻挡 效应 垂直 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
具有电流阻挡效应的垂直发光二极管，包括：永久基板；p型GaN基外延层，位于所述永久基板之上；发光层，位于所述p型GaN基外延层之上；n型GaN基外延层，位于所述发光层之上；n电极，位于n型GaN基外延层之上；激光烧蚀部，形成于n型GaN基外延层与发光层之间，并且在垂直投影面上激光烧蚀部的位置与n电极对应。
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