[发明专利]肖特基位障二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201210268452.9 | 申请日： | 2012-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN103579372A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 邱建维;黄宗义;黄智方;杨宗谕 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/40;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种肖特基位障二极管(Schottky barrier diode,SBD)及其制造方法。肖特基位障二极管，形成于基板上，其包含：形成于基板上的氮化镓(gallium nitride,GaN)层；形成于GaN层上的氮化铝镓(aluminum gallium nitride,AlGaN)层；形成于AlGaN层上的绝缘层；形成于绝缘层上的阳极导电层，且部分阳极导电层与GaN层或AlGaN层，形成肖特基接触，且另一部分阳极导电层与AlGaN层间，由绝缘层隔开；以及形成于AlGaN层上的阴极导电层，并与AlGaN层间，形成欧姆接触，且该阴极导电层与该阳极导电层不直接连接。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基位障 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基位障二极管，形成于一基板上，其特征在于，包含：一氮化镓层，形成于该基板上；一氮化铝镓层，形成于该氮化镓层上；一绝缘层，形成于该氮化铝镓层上；一阳极导电层，形成于该绝缘层上，且部分该阳极导电层与该氮化镓层或该氮化铝镓层，形成肖特基接触，且另一部分该阳极导电层与该氮化铝镓层间，由该绝缘层隔开；以及一阴极导电层，形成于该氮化铝镓层上，并与该氮化铝镓层或该氮化铝镓层间，形成一欧姆接触，且该阴极导电层与该阳极导电层不直接连接。
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