[发明专利]图像传感器像素及其操作方法及图像传感器有效
申请号: | 201210264628.3 | 申请日: | 2012-07-27 |
公开(公告)号: | CN103165631A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 希内切克·雅罗斯拉夫 | 申请(专利权)人: | 普廷数码影像控股公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 开曼群*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请案涉及一种图像传感器像素及其操作方法,及一种图像传感器。本发明提供一种适合在背侧照明或前侧照明传感器布置中使用的图像传感器像素。所述图像传感器像素可为小尺寸像素,其包含使用垂直结型场效应JFET晶体管实施的源极跟随器。所述垂直JFET源极跟随器可直接集成到浮动扩散节点之内,从而消除在常规像素配置中通常为源极跟随器分配的过量金属路由及像素面积。可改为分配像素面积用于增加光电二极管的电荷存储容量,或可使用像素面积在维持像素性能的同时减小像素尺寸。以此方式使用垂直结型场效应晶体管简化了像素寻址操作且使与小尺寸金属氧化物半导体MOS晶体管相关联的随机电报信号RTS噪声最小化。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 像素 及其 操作方法 | ||
【主权项】:
一种图像传感器像素,其包括:光敏元件;浮动扩散区;电荷转移晶体管,其耦合在所述光敏元件与所述浮动扩散区之间;及垂直结型场效应晶体管JFET源极跟随器,其经由所述电荷转移晶体管耦合到所述光敏元件,其中所述垂直结型场效应晶体管源极跟随器具有栅极,所述栅极集成到所述浮动扩散区内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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