[发明专利]超结功率器件的形成方法

摘要

一种超结功率器件的形成方法，包括：形成位于第二外延层表面的第一掩膜层，器件区的第一掩膜层具有第一开口，切割道区的第一掩膜层具有第三开口；以第一开口为窗口，刻蚀部分厚度的第二外延层形成沟槽，同时以所述第三开口为窗口，刻蚀部分厚度的第二外延层，形成第二标识；去除第一掩膜层，然后以第二标识为参考基准，形成位于第二外延层表面的第二掩膜层，第二掩膜层具有定义出第二掺杂层的第二开口；以第二掩膜层为掩膜，向第二外延层内掺杂离子形成第二掺杂层。形成的超结功率器件更稳定，漏源击穿电压更稳定。

主权项

一种超结功率器件的形成方法，其特征在于，包括：提供包括器件区和与之相邻的切割道区的半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有第一外延层，所述器件区的第一外延层内形成有第一掺杂层，且所述切割道区的第一外延层表面形成有初始标识，所述第一外延层表面形成有第二外延层；以所述初始标识为参考基准，形成位于所述第二外延层表面的第一掩膜层，且所述器件区的第一掩膜层具有第一开口，所述切割道区的第一掩膜层具有第三开口；沿所述第一开口刻蚀部分厚度的第二外延层，形成沟槽，同时沿所述第三开口刻蚀部分厚度的第二外延层，形成第二标识；待形成沟槽和第二标识后，去除所述第一掩膜层，以所述第二标识为参考基准，形成位于所述第二外延层表面的第二掩膜层，所述第二掩膜层具有定义出第二掺杂层的第二开口；以所述第二掩膜层为掩膜，向所述第二外延层内掺杂离子形成第二掺杂层。