[发明专利]超结功率器件的形成方法

权利要求书

1.一种超结功率器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供包括器件区和与之相邻的切割道区的半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有第一外延层，所述器件区的第一外延层内形成有第一掺杂层，且所述切割道区的第一外延层表面形成有初始标识，所述第一外延层表面形成有第二外延层；

以所述初始标识为参考基准，形成位于所述第二外延层表面的第一掩膜层，且所述器件区的第一掩膜层具有第一开口，所述切割道区的第一掩膜层具有第三开口；

沿所述第一开口刻蚀部分厚度的第二外延层，形成沟槽，同时沿所述第三开口刻蚀部分厚度的第二外延层，形成第二标识；

待形成沟槽和第二标识后，去除所述第一掩膜层，以所述第二标识为参考基准，形成位于所述第二外延层表面的第二掩膜层，所述第二掩膜层具有定义出第二掺杂层的第二开口；

以所述第二掩膜层为掩膜，向所述第二外延层内掺杂离子形成第二掺杂层。

2.如权利要求1所述的超结功率器件的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的厚度小于所述第二掩膜层的厚度。

3.如权利要求1所述的超结功率器件的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的厚度为9000埃-15000埃。

4.如权利要求1所述的超结功率器件的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层包括：位于所述第二外延层表面的硬掩膜层和位于所述硬掩膜层表面的第一光刻胶层，所述第一开口和第三开口贯穿所述第一光刻胶层的厚度。

5.如权利要求4所述的超结功率器件的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层的厚度为2000埃-4000埃，所述第一光刻胶层的厚度为7000埃-11000埃。

6.如权利要求1所述的超结功率器件的形成方法，其特征在于，还包括：以第二标识为参考基准，形成第三掩膜层，所述第三掩膜层定义出第三掺杂层的位置；以所述第三掩膜层为掩膜向所述第二外延层内掺杂，形成位于所述第二外延层表面的第三掺杂层；再以第二标识为参考基准，形成第四掩膜层；以所述第四掩膜层为掩膜向所述第三掺杂层表面注入离子形成源区。

7.如权利要求1所述的超结功率器件的形成方法，其特征在于，所述沟槽的形成工艺为各向异性的干法刻蚀工艺。

8.如权利要求7所述的超结功率器件的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺采用的刻蚀气体包括溴化氢、氧气和惰性气体，或者包括六氟化硫、氧气和惰性气体。

9.如权利要求1所述的超结功率器件的形成方法，其特征在于，所述沟槽的深度小于所述第二外延层的厚度。

10.如权利要求1所述的超结功率器件的形成方法，其特征在于，所述第一掺杂层的形成步骤包括：形成位于所述第一外延层表面的初始掩膜层，所述初始掩膜层具有定义出第一掺杂层位置的初始开口；以所述初始掩膜层为掩膜，分别以1200千电子伏-1700千电子伏、600千电子伏-1000千电子伏、100千电子伏-500千电子伏的能量向所述第一外延层内掺杂离子。

11.如权利要求1所述的超结功率器件的形成方法，其特征在于，所述第二掺杂层的形成步骤包括：分别以1200千电子伏-1700千电子伏、600千电子伏-1000千电子伏、100千电子伏-500千电子伏的能量向所述第二外延层内掺杂离子。

12.如权利要求1所述的超结功率器件的形成方法，其特征在于，还包括：在形成第二掺杂层后，在所述沟槽内形成覆盖其底部和侧壁的栅介质层；形成覆盖所述栅介质层且填充满所述沟槽的栅电极层。