[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201210256482.8 | 申请日： | 2012-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN102916044A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 黄仁俊;崔赫洵;吴在浚;河种奉;金钟燮;洪起夏;申在光 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L23/373;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种高电子迁移率晶体管及其制造方法。HEMT包括：基板；以及形成在基板上的HEMT层叠，其中所述HEMT层叠包括：包括2维电子气（2DEG）的化合物半导体层；上化合物半导体层，具有比所述化合物半导体层的极化指数高的极化指数；以及设置在所述上化合物半导体层上的源电极、漏电极和栅极，其中所述基板是具有比硅基板的介电常数和导热系数高的介电常数和导热系数的氮化物基板。所述基板可以包括具有比硅基板的介电常数和导热系数高的介电常数和导热系数的绝缘层、设置在所述绝缘层上的金属层、以及附接到所述金属层的板。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高电子迁移率晶体管包括：基板；以及形成在所述基板上的高电子迁移率晶体管层叠，其中所述高电子迁移率晶体管层叠包括：包括2维电子气的化合物半导体层；上化合物半导体层，具有比所述化合物半导体层的极化指数高的极化指数；以及设置在所述上化合物半导体层上的源电极、漏电极、以及栅极，其中所述基板是具有比硅基板的介电常数和导热系数高的介电常数和导热系数的氮化物基板。
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