[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种高电子迁移率晶体管包括：

基板；以及

形成在所述基板上的高电子迁移率晶体管层叠，

其中所述高电子迁移率晶体管层叠包括：

包括2维电子气的化合物半导体层；

上化合物半导体层，具有比所述化合物半导体层的极化指数高的极化指数；以及

设置在所述上化合物半导体层上的源电极、漏电极、以及栅极，

其中所述基板是具有比硅基板的介电常数和导热系数高的介电常数和导热系数的氮化物基板。

2.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中所述基板是铝氮化物基板或者硅氮化物基板。

3.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中所述上化合物半导体层包括凹槽或者氧化区域。

4.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，还包括设置在所述上化合物半导体层与所述栅极之间的耗尽层。

5.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，还包括设置在所述化合物半导体层上在所述栅极与所述漏电极之间的轻掺杂漏区。

6.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中所述栅极是p型金属栅极或者氮化物栅极。

7.一种高电子迁移率晶体管包括：

基板；以及

形成在所述基板上的高电子迁移率晶体管层叠，

其中所述高电子迁移率晶体管层叠包括：

包括2维电子气的化合物半导体层；

上化合物半导体层，具有比所述化合物半导体层的极化指数高的极化指数；以及

设置在所述上化合物半导体层上的源电极、漏电极、以及栅极，

其中所述基板包括多个层，并且是具有比硅基板的介电常数和导热系数高的介电常数和导热系数的非硅基板。

8.根据权利要求7所述的高电子迁移率晶体管，其中所述基板包括：

板；

金属层，与所述板接合；以及

电介质层，形成在所述金属层上。

9.根据权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其中所述板包括硅板、直接敷铜板、金属板和铝氮化物板中的任何一种。

10.根据权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其中所述金属层是包括铝、铜、金和硅中的一种的合金层。

11.根据权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其中所述电介质层包括AlN、SiN、Al₂O₃、和SiO₂中的一种。

12.根据权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其中所述漏电极和所述金属层彼此连接，所述板是直接敷铜板。

13.根据权利要求7所述的高电子迁移率晶体管，其中所述上化合物半导体层包括凹槽或者氧化区域。

14.根据权利要求7所述的高电子迁移率晶体管，还包括设置在所述上化合物半导体层与所述栅极之间的耗尽层。

15.根据权利要求7所述的高电子迁移率晶体管，还包括设置在所述化合物半导体层上在所述栅极与所述漏电极之间的轻掺杂漏区。

16.根据权利要求7所述的高电子迁移率晶体管，其中所述栅极是p型金属栅极或者氮化物栅极。

17.一种制造高电子迁移率晶体管的方法，所述方法包括：

在基板上形成高电子迁移率晶体管层叠；

将载体晶圆附接到所述高电子迁移率晶体管层叠；

去除所述基板；

将氮化物基板附接到从其去除所述基板的所述高电子迁移率晶体管层叠的表面，其中该氮化物基板具有比硅基板的介电常数和导热系数高的介电常数和导热系数；以及

去除所述载体晶圆，

其中所述高电子迁移率晶体管层叠包括：

包括2维电子气的化合物半导体层；

上化合物半导体层，具有比所述化合物半导体层的极化指数高的极化指数；以及

设置在所述上化合物半导体层上的源电极、漏电极、以及栅极。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述氮化物基板包括AlN基板或者SiN基板。

19.根据权利要求17所述的方法，还包括在所述上化合物半导体层中形成凹槽或者氧化区域。