[发明专利]具有外围沟槽电容器的互补金属氧化物半导体图像传感器

摘要

本申请案涉及具有外围沟槽电容器的互补金属氧化物半导体CMOS图像传感器。一种实例性互补金属氧化物半导体CMOS图像传感器包含外延层、像素阵列及沟槽电容器。所述像素阵列形成于所述外延层的前侧上所述图像传感器的像素阵列区域中。所述像素阵列包含安置于邻近像素之间以用于隔离所述像素阵列区域中的所述像素的一个或一个以上浅沟槽隔离结构。所述沟槽电容器形成于所述外延层的所述前侧上所述图像传感器的外围电路区域中。

主权项

一种制作互补金属氧化物半导体CMOS图像传感器的方法，所述方法包括：提供具有像素阵列区域及外围电路区域的外延层；在所述外延层的前侧上形成掩模，其中所述掩模包含所述像素阵列区域中的第一开口及所述外围电路区域中的第二开口；穿过所述第一及第二开口蚀刻所述外延层以形成所述像素阵列区域中的第一沟槽及所述外围电路区域中的第二沟槽；使用所述第一沟槽形成浅沟槽隔离结构以隔离所述像素阵列区域中的邻近像素；及使用所述外围电路区域中的所述第二沟槽形成沟槽电容器。