[发明专利]具有嵌入式光伏电池的阵列基板的制作方法

摘要

本发明提供一种具有嵌入式光伏电池的阵列基板的制作方法，包括以下步骤：步骤1、提供基板；步骤2、在基板上形成缓冲层；步骤3、在缓冲层上形成非晶硅层；步骤4、激光退火，将非晶硅层转变为多晶硅层；步骤5、通过掩膜工艺在多晶硅层上形成预定图形；步骤6、在多晶硅层上形成第一光致抗蚀剂图形，并在该第一光致抗蚀剂图形内注入N+离子；步骤7、在多晶硅层上形成栅极绝缘层；步骤8、在栅极绝缘层上形成第二光致抗蚀剂图形，并在第二该光致抗蚀剂图形内注入N-离子；步骤9、在栅极绝缘层上形成第三光致抗蚀剂图形，并在第三该光致抗蚀剂图形内注入P+离子，并活化；步骤10、在栅极绝缘层上形成第一金属层，并通过掩膜工艺形成栅极；步骤11、在第一金属层上形成第一绝缘层，并氢化该第一绝缘层，以形成氢化绝缘层；步骤12、在第一绝缘层上通过掩膜工艺形成第一沟道；步骤13、在第一绝缘层上形成第二金属层，并通过掩膜工艺形成金属电极，进而形成薄膜晶体管与光伏电池。

主权项

一种具有嵌入式光伏电池的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、提供基板；步骤2、在基板上形成缓冲层；步骤3、在缓冲层上形成非晶硅层；步骤4、激光退火，将非晶硅层转变为多晶硅层；步骤5、通过掩膜工艺在多晶硅层上形成预定图形；步骤6、在多晶硅层上形成第一光致抗蚀剂图形，并在该第一光致抗蚀剂图形内注入N+离子；步骤7、在多晶硅层上形成栅极绝缘层；步骤8、在栅极绝缘层上形成第二光致抗蚀剂图形，并在第二该光致抗蚀剂图形内注入N‑离子；步骤9、在栅极绝缘层上形成第三光致抗蚀剂图形，并在第三该光致抗蚀剂图形内注入P+离子，并活化；步骤10、在栅极绝缘层上形成第一金属层，并通过掩膜工艺形成栅极；步骤11、在第一金属层上形成第一绝缘层，并氢化该第一绝缘层，以形成氢化绝缘层；步骤12、在第一绝缘层上通过掩膜工艺形成第一沟道；步骤13、在第一绝缘层上形成第二金属层，并通过掩膜工艺形成金属电极，进而形成薄膜晶体管与光伏电池。