[发明专利]多量子阱结构及发光二极管无效
| 申请号： | 201210244973.0 | 申请日： | 2012-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN103545406A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 黄世晟;林雅雯;凃博闵 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种多量子阱结构，包括两个第一势垒层、夹设在该两个第一势垒层之间的两个阱层、以及夹设在两个阱层之间的具有掺杂的第二势垒层，该第二势垒层的导带、价带能级分别趋向与其相邻的阱层的导带、价带能级渐变过渡，且该第二势垒层的掺杂浓度沿从一个阱层到另一个阱层的方向渐变。该种多量子阱结构具有发光效率高的优点。本发明还提供一种具有该多量子阱结构的发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 多量 结构 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种多量子阱结构，包括两个第一势垒层以及夹设在该两个第一势垒层之间的两个阱层，其特征在于：该多量子阱结构还包括夹设在两个阱层之间的具有掺杂的第二势垒层，该第二势垒层的导带、价带能级分别趋向与其相邻的阱层的导带、价带能级渐变过渡，且该第二势垒层的掺杂浓度沿从一个阱层到另一个阱层的方向渐变。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司，未经展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210244973.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
