[发明专利]一种扇出型圆片级芯片封装方法

摘要

本发明涉及一种扇出型圆片级芯片封装方法，属于半导体芯片封装技术领域。它包括芯片（1）、金属微结构（2）、高密度布线层（4）、硅腔体（5）、键合层（6）和焊球凸点（7），在芯片（1）上通过溅射、光刻、电镀等工艺形成金属微结构（2），将芯片（1）倒装在高密度布线层（4）上，用光学掩膜、刻蚀等方法在硅腔体（5）上形成下凹的硅腔（511），所述硅腔体（5）将芯片（1）扣置在硅腔（511）内，所述高密度布线层（4）与硅腔体（5）通过键合层（6）键合，加热使包封料层（52）和键合层（6）固化成形。本发明的封装成本低、扇出（Fanout）结构的支撑强度牢固、封装良率高、适用于薄型结构的扇出型圆片级芯片封装。

主权项

一种扇出型圆片级芯片封装方法，其特征在于所述方法包括以下工艺过程：步骤一、准备载体圆片（8）；步骤二、在载体圆片（8）的上表面覆盖介电层（41），在所述介电层（41）上形成设计的光刻图形开口（411）；步骤三、通过电镀、化学镀或溅射的方式在所述介电层（41）的图形开口（411）及其上表面实现金属电极Ⅰ（421）、单层或多层再布线金属走线（42）和金属电极Ⅱ（422）；步骤四、取带有芯片电极（111）的IC圆片（A1），在芯片电极（111）上通过溅射、光刻、电镀等工艺实现金属柱（21）和金属柱（21）顶端的金属微凸点（22），并完成金属微结构（2）阵列排布；步骤五、将上述IC圆片（A1）减薄并切割成单颗的芯片（1）；步骤六、将上述芯片（1）倒装在步骤三的金属电极Ⅰ（421）上，通过回流形成可靠连接；步骤七、对完成倒装的芯片（1）用填充料（3）对金属微结构（2）和金属微结构（2）之间以及金属微结构（2）的外围进行填充，填充满芯片（1）和高密度布线层（4）之间的空间，形成带有芯片（1）的封装体；步骤八、取硅圆片，在硅本体（51）上用光学掩膜、刻蚀等方法完成下凹的硅腔（511），形成带有硅腔（511）的硅腔体（5）；步骤九、在上述硅本体（51）的上表面覆盖键合层（6），在硅腔（511）中点上液体包封胶，形成包封料层（52）；步骤十、将步骤七的带有芯片（1）的封装体上下翻转180度与上述带有硅腔（511）的硅腔体（5）键合，挤压包封料层（52）和键合层（6），加热，使包封料层（52）和键合层（6）固化成形；步骤十一、通过减薄刻蚀的方法去除载体圆片（8）；步骤十二、在上述金属电极Ⅱ（422）上植球回流，形成焊球凸点（7）阵列；步骤十三、对上述重构的圆片进行减薄、切割，形成单颗的扇出型圆片级芯片封装结构。