[发明专利]填充间隙的填料、其制备方法及制造半导体电容器的方法有效
| 申请号： | 201210241251.X | 申请日： | 2012-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN102874813A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 朴银秀;金奉焕;林相学;郭泽秀;裵镇希;尹熙灿;金相均;李真旭 | 申请（专利权）人： | 第一毛织株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/00 | 分类号： | C01B33/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;王玉桂 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种填充间隙的填料、其制备方法及制造半导体电容器的方法。所述填充间隙的填料包含由下列化学式1表示的化合物：[化学式1]SiaNbOcHd在化学式1中，1.96＜a＜2.68，1.78＜b＜3.21，0≤c＜0.19，且4＜d＜10。 | ||
| 搜索关键词： | 填充 间隙 填料 制备 方法 制造 半导体 电容器 | ||
【主权项】：
一种用于填充间隙的填料，包含由下列化学式1表示的化合物：[化学式1]SiaNbOcHd其中，在化学式1中，1.96＜a＜2.68，1.78＜b＜3.21，0≤c＜0.19，且4＜d＜10。
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