[发明专利]P型LDMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210236376.3 | 申请日： | 2012-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN103545363A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 陈瑜;刘剑 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P型LDMOS器件，包括：一SOI衬底；位于沟道区域的SOI衬底的顶层硅和埋氧化层被去除，在沟道区域中形成有硅外延层，硅外延层中掺入有N型杂质并组成器件的沟道区，沟道区的底部和所述底层硅相接触；顶层硅中形成有器件的P型漂移区；P型漂移区的侧面和沟道区相接触，P型漂移区的底部和埋氧化层接触。本发明还公开了一种P型LDMOS器件的制造方法。本发明能解决P型漂移区与P型衬底之间的隔离问题，提高设定余量，使工艺稳定，还能降低P型漂移区的结深、提高P型漂移区的掺杂浓度以及降低器件的导通电阻，还能减小器件的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种P型LDMOS器件，其特征在于，包括：一SOI衬底，所述SOI衬底由底层硅、埋氧化层和顶层硅组成，所述埋氧化层形成于所述底层硅上、所述顶层硅形成于所述埋氧化层上，所述底层硅为P型掺杂；位于沟道区域的所述顶层硅和所述埋氧化层被去除，在所述沟道区域中形成有硅外延层，所述硅外延层中掺入有N型杂质并组成P型LDMOS器件的沟道区，所述沟道区的底部和所述底层硅相接触；所述顶层硅中形成有P型阱，该P型阱组成所述P型LDMOS器件的P型漂移区；所述P型漂移区的侧面和所述沟道区相接触，所述P型漂移区的底部和所述埋氧化层接触并通过所述埋氧化层和所述底层硅相隔离。
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