[发明专利]一种制备量子点场效应晶体管列阵的方法

摘要

本发明公开了一种制备量子点场效应晶体管列阵的方法，包括：选择外延片，在外延片上涂光刻胶，对外延片腐蚀出台面，形成源漏沟道，其中同一行的源极在光刻时连在一起；在源极和漏极蒸镀电极，进行电极退火形成源漏与导电沟道的欧姆接触；蒸镀透明电极，在源漏电极之间光刻出栅条，其中同一行的栅条连在一起；在表面蒸镀绝缘层，并在外延片两端露出各行的源栅电极焊台；光刻并腐蚀绝缘层露出漏电极，然后蒸镀合金，并采用剥离技术使得同一列的漏电极连在一起；以及涂光刻胶，实现保护和表面钝化。利用本发明，解决了普通CCD无法有效进行弱光探测的问题，达到了低功耗、在微弱的光照条件下实现图像捕获的高增益弱光探测的目的。

主权项

一种制备量子点场效应晶体管列阵的方法，其特征在于，包括：选择外延片，在外延片上涂光刻胶，对外延片腐蚀出台面，形成源漏沟道，其中同一行的源极在光刻时连在一起；在源极和漏极蒸镀电极，进行电极退火形成源漏与导电沟道的欧姆接触；蒸镀透明电极，在源漏电极之间光刻出栅条，其中同一行的栅条连在一起；在表面蒸镀绝缘层，并在外延片两端露出各行的源栅电极焊台；光刻并腐蚀绝缘层露出漏电极，然后蒸镀合金，并采用剥离技术使得同一列的漏电极连在一起；以及涂光刻胶，实现保护和表面钝化。