[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210232193.4 | 申请日： | 2012-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN103531627A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 王文博;卜伟海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，通过在源/漏极区刻蚀半导体基底形成凹槽后，利用选择化学气相沉积形成衬垫层并刻蚀，以在凹槽两侧壁处形成导电类型与半导体基底相同，且杂质浓度高于半导体基底的扩散阻挡层，并继续在凹槽内外延形成与所述扩散阻挡层导电类型相反的源/漏极区，因此，由于源/漏极区之间设置了与源/漏极区导电类型相反的扩散阻挡层，中和了由源/漏极区向沟道区横向扩散的杂质，从而无需增加栅极侧壁的厚度，减小了整个器件的体积，并降低了源漏极之间的串联电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供待形成源/漏极区的半导体结构，所述半导体结构包括预定义有所述源/漏极区位置的半导体基底，以及形成在所述半导体基底上的栅极堆叠，且所述半导体基底具有第一导电类型的杂质；利用干法刻蚀在所述预定义的源/漏极区位置刻蚀半导体基底以形成凹槽；利用选择化学气相沉积在所述凹槽内表面形成具有第一导电类型杂质的衬垫层，所述衬垫层中所述第一导电类型杂质的浓度高于所述半导体基底中第一导电类型杂质的浓度；干法刻蚀所述衬垫层，去除所述凹槽底部的衬垫层，以在所述凹槽的侧壁形成扩散阻挡层；利用化学气相沉积在所述凹槽内填充掺杂有第二导电类型杂质的半导体层，并以所述半导体层作为源/漏极区。
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