[发明专利]一种发光二极管及其制造方法

摘要

本发明提供一种发光二极管及其制造方法，于半导体衬底上依次形成N-GaN层、量子阱层、P-GaN层，然后刻蚀出多个直至N-GaN层的孔道并制备绝缘内壁，同时在所述P-GaN层上制备绝缘层，并刻蚀出桥接各该孔道的绝缘结构，接着对所述孔道填充电极材料使其与N-GaN层形成欧姆接触，于所述绝缘结构的上表面及没被所述绝缘结构覆盖的P-GaN层表面形成厚度小于所述绝缘结构厚度的透明导电层，以完成制备。本发明采用点状的N电极代替传统的线状N电极，有效的增加了发光二极管的亮度，点状电极有利于大电流下芯片电流的扩散，使电流密度分布更均匀，有效的提高了发光二极管的发光效率，并提高了发光二极管的寿命。本发明制作工艺简单，效果显著，适用于工业生产。

主权项

一种发光二极管的制造方法，其特征在于，所述制作方法至少包括步骤：1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底上依次形成N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层；2）刻蚀所述P‑GaN层及量子阱层，形成从所述P‑GaN层贯穿至所述N‑GaN层的间隔排列的多个孔道；3）于所述孔道的内壁形成绝缘内壁，并同时于所述P‑GaN层表面形成绝缘层，刻蚀所述绝缘层，形成桥接各该孔道的绝缘结构；4）于所述孔道内填充电极材料，并使该电极材料与所述N‑GaN层形成欧姆接触；5）于所述绝缘结构的上表面及没被所述绝缘结构覆盖的P‑GaN层表面形成透明导电层，所述透明导电层的厚度小于所述绝缘结构的厚度，以绝缘隔离所述绝缘结构上表面的透明导电层与所述P‑GaN层表面的透明导电层，以完成所述发光二极管的制造。