[发明专利]MOS晶体管及其形成方法、SRAM存储单元电路有效
| 申请号： | 201210214272.2 | 申请日： | 2012-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103515434A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩;冯军宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336;H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MOS晶体管及其形成方法、SRAM存储单元电路，所述MOS晶体管包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底表面的栅极结构，位于所述栅极结构一侧的半导体衬底内的第一沟槽和位于所述栅极结构另一侧的半导体衬底内的第二沟槽，所述第一沟槽和第二沟槽内填充满应力材料，且所述第一沟槽的侧壁与半导体衬底表面垂直，第二沟槽的侧壁向沟道区一侧突出。由于所述第一沟槽的侧壁与半导体衬底表面垂直，第二沟槽的侧壁向沟道区一侧突出，所述MOS晶体管的沟道区受到的应力不对称，使得所述MOS晶体管的不同电流方向饱和源漏电流不同，利用所述MOS晶体管作为SRAM存储单元电路的传输晶体管，可以同时提高SRAM的读取裕度和写入裕度。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 及其 形成 方法 sram 存储 单元 电路 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底表面的栅极结构，位于所述栅极结构一侧的半导体衬底内的第一沟槽和位于所述栅极结构另一侧的半导体衬底内的第二沟槽，所述第一沟槽和第二沟槽内填充满应力材料，且所述第一沟槽的侧壁与半导体衬底表面垂直，第二沟槽的侧壁向沟道区一侧突出。
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