[发明专利]晶片的加工方法无效
申请号: | 201210212160.3 | 申请日: | 2012-06-21 |
公开(公告)号: | CN102842494A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 关家一马 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/78;H01L21/66;B28D5/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供在减少晶片破损的顾虑的同时,能够检测晶片的分割预定线,沿着分割预定线对晶片实施加工的晶片的加工方法。该加工方法包括:将对准标记与分割预定线之间的位置关系作为位置关系信息来进行存储位置关系存储步骤;在实施了位置关系存储步骤之后,从晶片侧对贴附有晶片的基板进行摄像,检测对准标记的位置的对准标记位置检测步骤;根据通过对准标记位置检测步骤检测的对准标记的位置和通过位置关系存储步骤存储的位置关系信息,从贴附在基板上的晶片的表面侧沿着分割预定线对晶片实施加工的加工步骤。 | ||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种晶片的加工方法,在该晶片中,在由形成于表面的多个交叉的分割预定线划分而成的各区域上形成有器件,该加工方法的特征在于包括:基板准备步骤,准备由透明体构成的基板,该基板具有贴附晶片的晶片贴附区域、围绕该晶片贴附区域的外周剩余区域以及形成于该外周剩余区域的对准标记;贴附步骤,在该基板的该晶片贴附区域贴附晶片的表面而使晶片的背面露出;位置关系存储步骤,从该基板侧通过该基板对贴附在该基板上的晶片的表面进行摄像而检测该对准标记的位置及所述分割预定线,将该对准标记与该分割预定线之间的位置关系作为位置关系信息来进行存储;对准标记位置检测步骤,在实施了该位置关系存储步骤之后,从该晶片侧对贴附有晶片的该基板进行摄像,检测该对准标记的位置;以及加工步骤,根据通过该对准标记位置检测步骤检测到的该对准标记的位置和通过该位置关系存储步骤存储的该位置关系信息,从贴附在该基板上的晶片的背面侧沿着该分割预定线对晶片实施加工。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210212160.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:培美曲塞氧化物及其制备方法
- 下一篇:油冷却器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造