[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210211258.7 | 申请日： | 2009-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102723362A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 今田忠纮;山田敦史 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L29/06;H01L29/34;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;张志杰 |
| 地址： | 日本国神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种化合物半导体器件及其制造方法，该器件包括：电子渡越层（i-GaN层）；化合物半导体层（n-GaN层），形成在所述电子渡越层上；源电极以及漏电极，形成在所述化合物半导体层上；第一绝缘膜，形成在所述化合物半导体层上；以及栅电极，形成在所述绝缘膜上；其中，在所述化合物半导体层的所述源电极与所述漏电极之间的区域内并在所述第一绝缘膜内、并且在与所述栅电极分离的部分处，形成有凹入部分；第二绝缘膜，沿所述凹入部分的内表面形成；以及电极，形成在所述第二绝缘膜上。本发明能在断电时间内降低泄漏电流，并优选地获得高阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：电子渡越层；化合物半导体层，形成在所述电子渡越层上；源电极以及漏电极，形成在所述化合物半导体层上；第一绝缘膜，形成在所述化合物半导体层上；以及栅电极，形成在所述绝缘膜上；其中，在所述化合物半导体层的所述源电极与所述漏电极之间的区域内并在所述第一绝缘膜内、并且在与所述栅电极分离的部分处，形成有凹入部分；第二绝缘膜，沿所述凹入部分的内表面形成；以及电极，形成在所述第二绝缘膜上。
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