[发明专利]LED芯片的制作工艺及其LED芯片有效
| 申请号： | 201210208831.9 | 申请日： | 2012-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN103515488A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 吕华丽 | 申请（专利权）人： | 杭州华普永明光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 311305 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种LED芯片的制作工艺，包括：在蓝宝石基底上沉积一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层；在上述一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层上表面沉积一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层；在上述一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层上表面沉积一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层；在上述一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层上表面沉积反向穿隧层；在上述反向穿隧层上表面沉积一层或者多层反射金属层；剥离或者移除蓝宝石衬底；在n型Ⅲ族氮化物半导体层刻蚀出n型电极；将上述晶元划裂成多个单颗LED芯片；将上述多个单颗LED芯片的反射金属层，键合到金属基板上，其中，金属基板的面积大于外延片的面积，以便于封装焊接。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 制作 工艺 及其 | ||
【主权项】：
一种LED芯片的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：在蓝宝石基底上沉积一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层；在上述一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层上表面沉积一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层；在上述一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层上表面沉积一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层；在上述一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层上表面沉积反向穿隧层；在上述反向穿隧层上表面沉积一层或者多层反射金属层；剥离或者移除蓝宝石衬底；在n型Ⅲ族氮化物半导体层刻蚀出n型电极；将上述晶元划裂成多个单颗LED芯片；将上述多个单颗LED芯片的反射金属层，键合到金属基板上，其中，金属基板的面积大于外延片的面积，以便于封装焊接。
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