[发明专利]一种测量N型硅片少子寿命的钝化方法无效
| 申请号： | 201210205274.5 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102735510A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 张弛;熊震;付少永 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N1/34;H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种测量N型硅片少子寿命的钝化方法，具有如下步骤：a、将厚度为160μm～200μm的原生N型硅片浸入RCAI溶液中漂洗，去除硅片表面附着的颗粒、油污和金属杂质；b、将漂洗后的硅片置于HF酸溶液中清洗；c、将清洗后的硅片浸入RCAII溶液中漂洗，去除硅片表面残留的钠、铁、镁和锌金属污染物；d、将漂洗后的硅片浸入由氢氟酸、硝酸混合去离子水制得的酸性漂洗液中浸泡；e、将浸泡后硅片置于去离子水中漂洗后用氮气吹干；f、上述样片用氢氧化钾钝化后密封，利用μ-PCD法进行少子寿命测试本发明。本发明对厚度为160-200μm的N型太阳能级硅硅片钝化后，硅片的少子寿命大大提高，提高了测试精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量 硅片 少子 寿命 钝化 方法 | ||
【主权项】：
一种测量N型硅片少子寿命的钝化方法，其特征是：具有如下步骤：a、将原生N型硅片浸入RCAI溶液中漂洗，去除硅片表面附着的颗粒、油污和金属杂质；b、将漂洗后的硅片置于HF酸溶液中清洗；c、将清洗后硅片浸入RCAII溶液中漂洗，去除硅片表面残留的钠、铁、镁和锌金属污染物；d、将漂洗后硅片浸入由氢氟酸、硝酸混合去离子水制得的酸性漂洗液中浸泡；e、将浸泡后硅片置于去离子水中漂洗后用氮气吹干；f、上述吹干后的样片用浓度为4.0～4.8mol/l氢氧化钾钝化后密封，利用μ‑PCD法进行少子寿命测试。
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