[发明专利]一种碲化锌/砷化镓异质外延层的制备方法无效
| 申请号： | 201210205142.2 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102709398A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 冀子武;黄树来;赵雪琴;张磊;郭其新;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 许德山 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种碲化锌/砷化镓（ZnTe/GaAs）异质外延层的制备方法，属半导体材料制备技术领域，采用金属有机化学气相外延工艺，以二甲基锌和二乙基碲为金属有机源，用氢气作为载气，用金属有机化学气相外延设备在砷化镓衬底上生长碲化锌外延层。本发明方法制备的ZnTe/GaAs外延层具有窄的带边束缚激子峰和较大的发光强度，并且没有出现深能级发射及与位错有关的Y线，这些结果表明外延层有很好的结晶质量。本发明方法制备的ZnTe/GaAs外延层，可用于绿光LED和太赫兹发射器等光电器件的制备，并可实现与GaAs基器件的集成，具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碲化锌 砷化镓异质 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碲化锌/砷化镓异质外延层的制备方法，采用金属有机化学气相外延工艺，以二甲基锌和二乙基碲为金属有机源，用氢气作为载气，用金属有机化学气相外延设备在砷化镓衬底上生长碲化锌外延层；其工艺条件如下：反应室本底真空度：0.5－1.5×10‑7Torr；生长时衬底温度：390－440°C；二甲基锌输运速率：10－30μmol/min；二乙基碲输运速率：10－30μmol/min；生长时间：1－15h；在上述制备工艺条件下，碲化锌外延层的生长速率为1.4－4.3μm/h。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
