[发明专利]真空处理装置及控制制程颗粒沉积路径的方法有效
| 申请号： | 201210199548.4 | 申请日： | 2012-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN103510064A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 李苍;刘忠笃 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 吴世华;冯志云 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种真空处理装置，用于对放置在其中的基片通过金属有机化学气相沉积反应进行加工处理，包括：基座、反应腔室、喷淋头，基座和喷淋头分别位于反应腔室内的下部和上部，喷淋头用于向反应腔室供给金属有机化学气相沉积反应所用的制程气体，基片放置在基座上，该装置还包括一个超声波发生单元，用于在反应腔室中产生超声波，使得制程气体的制程颗粒向下运动，与基片进行反应。采用这种装置不再需要专门的反应腔室清洗工艺，提高了生产效率、节省了开销。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 处理 装置 控制 颗粒 沉积 路径 方法 | ||
【主权项】：
一种真空处理装置，用于对放置在其中的基片(15)通过金属有机化学气相沉积反应进行加工处理，包括：基座(10)、反应腔室(11)、喷淋头(12)，所述基座(10)和喷淋头(12)分别位于反应腔室(11)内的下部和上部，所述喷淋头(12)用于向反应腔室(11)供给金属有机化学气相沉积反应所用的制程气体，所述基片(15)放置在基座(10)上，其特征在于，所述真空处理装置还包括一个超声波发生单元，其在所述反应腔室(11)中产生超声波，使得所述反应腔室(11)内的制程颗粒(14)向下运动并与基片(15)进行制程反应。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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