[发明专利]真空处理装置及控制制程颗粒沉积路径的方法

权利要求书

1.一种真空处理装置，用于对放置在其中的基片(15)通过金属有机化学气相沉积反应进行加工处理，包括：基座(10)、反应腔室(11)、喷淋头(12)，所述基座(10)和喷淋头(12)分别位于反应腔室(11)内的下部和上部，所述喷淋头(12)用于向反应腔室(11)供给金属有机化学气相沉积反应所用的制程气体，所述基片(15)放置在基座(10)上，其特征在于，所述真空处理装置还包括一个超声波发生单元，其在所述反应腔室(11)中产生超声波，使得所述反应腔室(11)内的制程颗粒(14)向下运动并与基片(15)进行制程反应。

2.根据权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，所述超声波发生单元为一块超声波发射面板(13)，所述超声波发射面板(13)呈无底面的圆筒形，环绕所述反应腔室(11)。

3.根据权利要求2所述的真空处理装置，其特征在于，所述超声波发射面板(13)的顶端高度大于等于所述喷淋头(12)的高度，其底端高度小于等于所述基座(10)的高度。

4.根据权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，所述超声波发生单元为功率密度可调节的超声波发生单元。

5.根据权利要求4所述的真空处理装置，其特征在于，它还包括一个超声波反馈调节单元，其接收所述超声波发生单元发出的超声波信号，根据所述反应腔室(11)内的制程颗粒(14)的浓度，输出反馈控制信号调节所述超声波发生单元发出的超声波的功率密度。

6.一种控制制程颗粒沉积路径的方法，用于金属有机化学气相沉积工艺中，包括下列操作步骤：

a)、将基片安装在基座上；

b)、用加热器加热该基片；

c)、向反应腔室供给制程气体，并施以射频能量激发所述制程气体，同时在喷淋头和基座之间施加超声波，以使所述反应腔室内的制程颗粒受到超声波的震动影响向下运动并与放置在基座上的基片进行制程反应。

7.根据权利要求6所述的控制制程颗粒沉积路径的方法，其特征在于，所述超声波的功率密度为0.5-3瓦/cm²。

8.根据权利要求7所述的控制制程颗粒沉积路径的方法，其特征在于，所述超声波的功率密度为2.4瓦/cm²。

9.根据权利要求6所述的控制制程颗粒沉积路径的方法，其特征在于，所述超声波的频率为20-100KHZ。

10.根据权利要求9所述的控制制程颗粒沉积路径的方法，其特征在于，所述超声波的频率为40KHZ。