[发明专利]一种采用应力记忆技术制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201210195636.7 | 申请日： | 2012-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN103489781A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 徐伟中;马桂英 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种采用应力记忆技术制造半导体器件的方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成栅极；在所述栅极两侧上形成侧墙；对所述衬底中将形成源漏极的区域进行离子注入；部分去除所述侧墙；形成覆盖所述衬底、所述栅极和所述侧墙的应力记忆层；执行热退火。由于施加的应力靠近沟道，可以得到较好的器件性能；由于应力记忆层的厚度较现有技术的应力记忆层的厚度厚，可以诱发更高的应力并得到更好的间隙填充（gap fill）效果；由于所得到的硅的非晶化量较大，可以增强应力记忆效果，获得更好的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 应力 记忆 技术 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种采用应力记忆技术制造半导体器件的方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成栅极；在所述栅极两侧上形成侧墙；对所述衬底中将形成源漏极的区域进行离子注入；部分去除所述侧墙；形成覆盖所述衬底、所述栅极和所述侧墙的应力记忆层；执行热退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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