[发明专利]一种采用应力记忆技术制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种采用应力记忆技术制造半导体器件的方法，包括：提供一衬底；

在所述衬底上形成栅极；

在所述栅极两侧上形成侧墙；

对所述衬底中将形成源漏极的区域进行离子注入；

部分去除所述侧墙；

形成覆盖所述衬底、所述栅极和所述侧墙的应力记忆层；执行热退火。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述部分去除侧墙的步骤之后执行的离子注入预非晶化的步骤。

3.根据权利要求1或2所述的方法，还包括在所述热退火步骤之后形成金属硅化层的步骤。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述热退火步骤之后去除所述应力记忆层的步骤。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述离子注入预非晶化的步骤是使用所述离子注入步骤使用的图案进行的。

6.根据权利要求1所述的方法，所述器件为CMOS,其中对于PMOS采用选择性工艺，不执行所述部分去除侧墙的步骤。