[发明专利]一种相变存储器有效
| 申请号： | 201210193028.2 | 申请日： | 2012-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN103489478B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 任堃;饶峰;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种相变存储器，特别指利用具有阈值电压开关特性（OTS）的薄膜作为选通开关的相变存储器件，该具有OTS特性的薄膜作为相变存储器中的选通开关能阻挡对未选中相变存储单元无意操作，起到与其他选通开关相同的作用，例如场效应晶体管和二极管等。利用OTS特性的薄膜作为存储器中的选通开关能有效减少选通开关的制备的工艺步骤，减小选通开关的尺寸。所以利用具有OTS特性的薄膜作为选通开关的相变存储器件在降低成本和提高存储密度方面具有更大的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储器，其特征在于，至少包括：由多个相变存储单元组成的相变存储阵列，用于存储信息；连接所述相变存储阵列中各该相变存储单元的多条字线及位线，用于定位被操作的相变存储单元；连接于所述相变存储单元中的存储媒介与位线之间的选通开关，所述选通开关为具有阈值电压开关特性的硫系化合物薄膜材料，所述硫系化合物薄膜材料为Al5As2Te3、Al5Sb2Te3、Al5Sb2Se3、Al5Sb2S3、GeAl5As2Te3、GeAl5Sb2Te3、GeAl5Sb2Se3及GeAl5Sb2S3中的任意一种。
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