[发明专利]肖特基二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210191407.8 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN102683431A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 汪洋 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基二极管及其制造方法。本发明的肖特基二极管包括：掺杂衬底；第一掺杂区域，形成于所述掺杂衬底内，所述第一掺杂区域的掺杂类型与所述掺杂衬底的类型相反；第二掺杂区域，形成于所述第一掺杂区域内，所述第二掺杂区域的掺杂类型与所述掺杂衬底的类型相反；介质层，形成于所述掺杂衬底上；至少两个以上的第一凹槽和至少一个以上的第二凹槽，贯穿所述介质层；第一金属电极，形成于所述第一凹槽内，并与第二掺杂区域相接触；以及第二金属电极，形成于所述第二凹槽内，位于所述第一金属电极的一侧。本发明的肖特基二极管，提高了反向击穿电压，同时降低了反向漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管，包括：掺杂衬底；第一掺杂区域，形成于所述掺杂衬底内，所述第一掺杂区域的掺杂类型与所述掺杂衬底的类型相反；第二掺杂区域，形成于所述第一掺杂区域内，所述第二掺杂区域的掺杂类型与所述掺杂衬底的类型相反；介质层，形成于所述掺杂衬底上；至少两个以上的第一凹槽和至少一个以上的第二凹槽，贯穿所述介质层；第一金属电极，形成于所述第一凹槽内，并与第二掺杂区域相接触；以及第二金属电极，形成于所述第二凹槽内，位于所述第一金属电极的一侧。
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