[发明专利]非易失性存储装置及编程非易失性存储装置的方法无效
申请号: | 201210189683.0 | 申请日: | 2012-06-08 |
公开(公告)号: | CN102820057A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 宋永先;金甫根;权五锡;朴起台;申昇桓;尹翔镛 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06;G11C16/10;G11C16/34 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜盛花;陈源 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供了一种非易失性存储装置及编程非易失性存储装置的方法。所述非易失性存储装置包括:存储单元阵列、输出校验读取结果的页缓冲单元、产生参考电流信号的参考电流产生单元、根据校验读取结果输出电流的页缓冲解码单元、配置成对所述电流进行计数的模拟位计数单元、计算计数结果的累加和的数字加法单元、根据计算结果输出成功信号或失败信号的成功/失败检查单元、以及控制随后的编程操作的控制单元。 | ||
搜索关键词: | 非易失性 存储 装置 编程 方法 | ||
【主权项】:
一种非易失性存储装置,包括:存储单元阵列;页缓冲单元,经由多条位线连接到所述存储单元阵列,并且配置成在校验读取期间存储校验读取结果、将所述校验读取结果分成多个组并且以所分的组为单位顺序地输出所述校验读取结果;参考电流产生单元,配置成产生参考电流信号;页缓冲解码单元,配置成基于所述参考电流信号根据从所述页缓冲单元输出的所述多个组中的每一组的失效位的数目顺序地输出电流;模拟位计数单元,配置成基于所述参考电流信号对从所述页缓冲解码单元顺序输出的电流进行计数;数字加法单元,配置成计算所述模拟位计数单元的计数结果的累加和;成功/失败检查单元,配置成根据所述数字加法单元的计算结果输出成功信号或失败信号;以及控制单元,配置成响应于所述成功信号或失败信号控制随后的编程操作。
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