[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201210185710.7 | 申请日： | 2012-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103474547A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 朱钧;张淏酥;朱振东;李群庆;金国藩;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管，其包括：一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置；一第一电极覆盖所述第一半导体层远离活性层的表面；一第二电极与所述第二半导体层电连接；其中，所述发光二极管进一步包括：一第一光学对称层设置于第二半导体层远离活性层的表面；一金属等离子体产生层设置于所述第一光学对称层远离活性层的表面；一第二光学对称层设置于所述金属等离子体产生层远离活性层的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其包括：一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置；一第一电极覆盖所述第一半导体层远离活性层的表面；一第二电极与所述第二半导体层电连接；其特征在于，所述发光二极管进一步包括：一第一光学对称层设置于第二半导体层远离活性层的表面；一金属等离子体产生层设置于所述第一光学对称层远离活性层的表面；一第二光学对称层设置于所述金属等离子体产生层远离活性层的表面;所述第二光学对称层的等效折射率n1，与第一半导体层、一活性层、一第二半导体层以及第二光学对称层的等效折射率n2的差值∆n大于等于0小于等于0.5，其中∆n=|n1-n2|。
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