[发明专利]高亮度及低衰减的LED发光二极管的制造方法

摘要

本发明公开了一种高亮度及低衰减的LED发光二极管的制造方法，制造方法包括以下步骤：①、首先取碳化硅衬底，并在所述碳化硅衬底上制作氮化镓LED晶体外延片；②、检测氮化镓LED晶体外延片的表面和厚度；③、采用扩晶机将氮化镓LED晶体外延片分割成多个重复的单元；④、点低衰减的绝缘胶，并焊线；⑤、在氮化镓LED晶体外延片上点抗光衰原胶；⑥、灌注封装胶；⑦、脱模后检测分光；⑧、包装入库。本发明制造方法操作方便、实用，制得的LED发光二极管发光效率高，光输出亮度大，可靠性高，寿命长，低衰减。

主权项

一种高亮度及低衰减的LED发光二极管的制造方法，其特征在于：所述制造方法包括以下步骤：①、首先取碳化硅衬底，把碳化硅衬底置入金属有机化学气相沉淀晶圆炉中，并在所述碳化硅衬底上制作氮化镓LED晶体外延片；②、所述氮化镓LED晶体外延片制作完成后，开始检测氮化镓LED晶体外延片的表面和厚度，并选择出表面平整且厚度均匀的氮化镓LED晶体外延片；③、把所选择的氮化镓LED晶体外延片贴附到翻晶膜上，并采用扩晶机将氮化镓LED晶体外延片分割成多个重复的单元；④、取一支架，所述支架上点有低衰减的绝缘胶，然后采用固晶机将分割后的氮化镓LED晶体外延片放置在所述支架上，并进行烘烤，待氮化镓LED晶体外延片固定后进行焊线；⑤、待焊线完毕后，在氮化镓LED晶体外延片上点抗光衰原胶，点胶完成后采用温度控制法进行烘干：首先将点有抗光衰原胶的氮化镓LED晶体外延片在80~100℃的条件下烘烤30~50 min，然后再转至120~145℃下烘烤70~90 min；所述抗光衰原胶由硅树脂A胶、硅树脂B胶、荧光粉和抗沉粉组成； ⑥、把点有抗光衰原胶的氮化镓LED晶体外延片放入模条中，取封装胶并抽真空，再将抽真空后的封装胶注入模条中，构建LED发光二极管的外表面封装，然后把引脚支架插入模条中，并在120~130℃中进行烘烤，烘烤片刻后，进行脱模；⑦、脱模后，再次烘烤8 h，烘烤完成后切除多余的支脚，并检测分光；⑧、将检测后的LED发光二极管包装入库。