[发明专利]高亮度及低衰减的LED发光二极管的制造方法

权利要求书

1.一种高亮度及低衰减的LED发光二极管的制造方法，其特征在于：所述制造方法包括以下步骤：

①、首先取碳化硅衬底，把碳化硅衬底置入金属有机化学气相沉淀晶圆炉中，并在所述碳化硅衬底上制作氮化镓LED晶体外延片；

②、所述氮化镓LED晶体外延片制作完成后，开始检测氮化镓LED晶体外延片的表面和厚度，并选择出表面平整且厚度均匀的氮化镓LED晶体外延片；

③、把所选择的氮化镓LED晶体外延片贴附到翻晶膜上，并采用扩晶机将氮化镓LED晶体外延片分割成多个重复的单元；

④、取一支架，所述支架上点有低衰减的绝缘胶，然后采用固晶机将分割后的氮化镓LED晶体外延片放置在所述支架上，并进行烘烤，待氮化镓LED晶体外延片固定后进行焊线；

⑤、待焊线完毕后，在氮化镓LED晶体外延片上点抗光衰原胶，点胶完成后采用温度控制法进行烘干：首先将点有抗光衰原胶的氮化镓LED晶体外延片在80~100℃的条件下烘烤30~50 min，然后再转至120~145℃下烘烤70~90 min；所述抗光衰原胶由硅树脂A胶、硅树脂B胶、荧光粉和抗沉粉组成； 

⑥、把点有抗光衰原胶的氮化镓LED晶体外延片放入模条中，取封装胶并抽真空，再将抽真空后的封装胶注入模条中，构建LED发光二极管的外表面封装，然后把引脚支架插入模条中，并在120~130℃中进行烘烤，烘烤片刻后，进行脱模；

⑦、脱模后，再次烘烤8 h，烘烤完成后切除多余的支脚，并检测分光；

⑧、将检测后的LED发光二极管包装入库。

2.根据权利要求1所述的高亮度及低衰减的LED发光二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤④中的焊接操作方法为：首先选取金线，再把金线分别与氮化镓LED晶体外延片的阳极和阴极进行焊接。

3.根据权利要求1所述的高亮度及低衰减的LED发光二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤⑤中的抗光衰原胶的制作方法包括以下步骤：

⑤-1、选取硅树脂A胶，在硅树脂A胶中加入荧光粉和抗沉粉，并采用超声波方式振动10~15 min；

⑤-2、待所述硅树脂A胶、荧光粉和抗沉粉混合后，再加入硅树脂B胶，进行搅拌，再采用超声波振动10~15 min，制得所述抗光衰原胶；

⑤-3、将所述抗光衰原胶进行真空处理。

4.根据权利要求1所述的高亮度及低衰减的LED发光二极管的制造方法，其特征在于：所述封装胶的主要成分为环氧树脂，所述模条中所灌注的封装胶的表面微低于所述模条的模口。

5.根据权利要求1所述的高亮度及低衰减的LED发光二极管的制造方法，其特征在于：所述硅树脂A胶的主要成分为硅树脂，所述硅树脂B胶的主要成分为固化剂。