[发明专利]一种生长氧化锌晶体的装置无效
| 申请号： | 201210182575.0 | 申请日： | 2012-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN102703972A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 马剑平;刘洋;刘富丽;吴盼儒 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | C30B23/06 | 分类号： | C30B23/06;C30B23/00;C30B29/16 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种生长氧化锌晶体的装置，其特征在于：包括加热器和生长室，所述生长室设置在真空室内且通过所述加热器加热，所述生长室外设有保温层。本发明为升华法生长氧化锌晶体装置，具有加热速度快、生长室容易达到高真空等特点，可通过改变工艺条件实现对ZnO晶体尺寸、生长速度的控制。不仅避免了现有技术使用高压设备存在的安全隐患，生长速率高且生长过程易于控制，可生长大尺寸ZnO晶体，并降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 氧化锌 晶体 装置 | ||
【主权项】：
一种生长氧化锌晶体的装置，其特征在于：包括加热器（15）和生长室（4），所述生长室（4）设置在真空室（25）内且通过所述加热器（15）加热，所述生长室（4）外设有保温层（1）。
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