[发明专利]薄膜形成装置以及薄膜形成方法有效

专利信息
申请号: 201210182134.0 申请日: 2012-06-05
公开(公告)号: CN102826762A 公开(公告)日: 2012-12-19
发明(设计)人: 德安良纪;山本英明;渡濑直树;松井淳一;中村秀男 申请(专利权)人: 株式会社日立工业设备技术
主分类号: C03C17/22 分类号: C03C17/22
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 张斯盾
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种能够进行高精度且均匀的涂敷的薄膜形成装置以及薄膜形成方法。本发明中,是具备吸附保持涂敷对象物(100)的吸附工作台(9)、一面从喷墨式喷嘴向被吸附保持在吸附工作台(9)上的涂敷对象物(100)的表面排出涂敷材,一面进行薄膜形成的多个涂敷头(4)、使涂敷头(4)在涂敷对象物(100)的上方位置移动的龙门架(3)的薄膜形成装置(1),其中,龙门架(3)还具备将涂敷对象物(100)的表面加热的热源装置(31)。
搜索关键词: 薄膜 形成 装置 以及 方法
【主权项】:
一种薄膜形成装置,所述薄膜形成装置具备吸附保持涂敷对象物的吸附工作台、一面从喷墨式喷嘴向被吸附保持在该吸附工作台上的上述涂敷对象物的表面排出涂敷材,一面进行薄膜形成的多个涂敷头、使该涂敷头在上述涂敷对象物的上方位置移动的龙门架,其特征在于,上述龙门架还具备将上述涂敷对象物的表面加热的热源装置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立工业设备技术,未经株式会社日立工业设备技术许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210182134.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top