[发明专利]一种用于功率器件击穿保护的栅漏箝位和静电放电保护电路有效
| 申请号： | 201210181610.7 | 申请日： | 2010-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102655166A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 苏毅;安荷·叭剌;伍时谦 | 申请（专利权）人： | 万国半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L27/06;H01L27/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 美国加利福尼亚桑*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种位于半导体衬底上的半导体功率器件，由多个晶体管单元组成，每个晶体管单元都有一个源极、一个栅极以及一个控制源极和栅极之间电流传输的漏极。这种半导体还包括一个栅漏箝位终端，串联在栅极和漏极之间，还包括多个背对背多晶硅二极管，串联在一个硅二极管上，在半导体衬底中，硅二极管含有平行掺杂纵栏，其中平行掺杂纵栏带有一个预设的缝隙。掺杂纵栏还包括一个U形弯管纵栏，将设置在U形弯管下方并包围U形弯管的深掺杂井，与平行掺杂纵栏末端连接在一起。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 功率 器件 击穿 保护 箝位 静电 放电 电路 | ||
【主权项】：
一个位于半导体衬底上的半导体功率器件由多个沟道金属氧化物半导体场效应管单元组成，其特征在于，半导体功率器件还包括：一个串联在所述的栅极和所述的漏极之间的栅漏箝位终端，包括在一侧串联在一个硅二极管上的多个背对背多晶硅二极管，在所述的半导体衬底中，硅二极管含有至少一个掺杂纵栏，其中多个背对背多晶硅二极管在另一侧连接到一个栅极金属上，栅极金属与栅极浇道沟道直接接触；所述的栅漏箝位终端仅设置在支撑着所述的半导体功率器件的所述半导体衬底一个边缘附近的一侧。
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