[发明专利]一种用于功率器件击穿保护的栅漏箝位和静电放电保护电路

权利要求书

1.一个位于半导体衬底上的半导体功率器件由多个沟道金属氧化物半导体场效应管单元组成，其特征在于，半导体功率器件还包括：

一个串联在所述的栅极和所述的漏极之间的栅漏箝位终端，包括在一侧串联在一个硅二极管上的多个背对背多晶硅二极管，在所述的半导体衬底中，硅二极管含有至少一个掺杂纵栏，其中多个背对背多晶硅二极管在另一侧连接到一个栅极金属上，栅极金属与栅极浇道沟道直接接触；

所述的栅漏箝位终端仅设置在支撑着所述的半导体功率器件的所述半导体衬底一个边缘附近的一侧。

2.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，还包括：

设置在下方的尾井包围了所述的至少一个掺杂纵栏的末端，其中尾井的导电类型与掺杂纵栏的导电类型相同，掺杂浓度低于掺杂纵栏的掺杂浓度。

3.一种箝位半导体功率器件的栅漏电压的方法，该半导体功率器件位于半导体衬底上，并含有多个晶体管单元，每个晶体管单元都有一个围绕在本体区中的源极和一个漏极，以及一个控制源极和漏极之间传输电流的栅极，其特征在于，此方法还包括：

通过形成多个背对背多晶硅二极管，在第一边串联到硅二极管上，在所述的半导体衬底中，硅二极管含有至少一个掺杂纵栏，并在第二边通过一个栅极电阻连接到栅极电极上，以便在所述的栅极和所述的漏极之间，相互连接栅漏箝位终端；所述的栅漏箝位终端仅设置在支撑着所述的半导体功率器件的所述半导体衬底一个边缘附近的一侧。

4.如权利要求3所述的箝位半导体功率器件的栅漏电压的方法，其特征在于，还包括以下步骤：

在所述的半导体衬底中，形成平行掺杂纵栏，起所述的硅二极管的作用，其中平行掺杂纵栏带有预设的缝隙，用于控制击穿电压。

5.如权利要求4所述的箝位半导体功率器件的栅漏电压的方法，其特征在于，形成所述的平行掺杂纵栏的所述的步骤还包括将掺杂纵栏的末端用一个U-型弯管连接在一起。

6.如权利要求3所述的箝位半导体功率器件的栅漏电压的方法，其特征在于，还包括以下步骤：

在所述的至少一个掺杂纵栏末端的下方，形成一个尾井，其中尾井的导电类型与掺杂纵栏的导电类型相同，掺杂浓度低于掺杂纵栏的掺杂浓度。

7.如权利要求3所述的箝位半导体功率器件的栅漏电压的方法，其特征在于，与带有背对背多晶硅二极管的标准栅源静电放电保护电路的半导体功率器件的制造工艺相比，所述的方法并没有增加额外的工艺。