[发明专利]发光二极管元件无效

专利信息
申请号: 201210177876.4 申请日: 2012-06-01
公开(公告)号: CN103456873A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 李学旻 申请(专利权)人: 李学旻
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L33/56
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈松涛;夏青
地址: 中国台湾台北市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种发光二极管元件被提供,该发光二极管元件包含:晶元载体,该晶元载体具有一个晶元置放表面和数个彼此电气隔离的电气连接区;设置在该晶元载体的晶元置放表面上的发光二极管晶元,该发光二极管晶元具有半导体衬底、设置在该半导体衬底上的第一型半导体层、设置在该第一型半导体层上的第二型半导体层、设置在该第二型半导体层上的第一型半导体层、至少三个分别自该半导体衬底贯穿到对应的半导体层的贯孔、形成在每个贯孔的内壁面的绝缘层、及形成在每个贯孔内的导电连接体,每个导电连接体的一端与对应的半导体层电气连接而另一端凸伸在对应的贯孔外部使得可与该晶元载体的对应的电气连接区电气连接;及形成于该晶元载体的晶元置放表面上使得可覆盖该发光二极管晶元的透光保护层。
搜索关键词: 发光二极管 元件
【主权项】:
一种发光二极管元件,包含:晶元载体,所述晶元载体具有一个晶元置放表面和数个彼此电气隔离的电气连接区;设置在所述晶元载体的晶元置放表面上的发光二极管晶元,所述发光二极管晶元具有半导体衬底、设置在所述半导体衬底上且具有导电岛的第一型半导体层、一个设置在所述第一型半导体上且具有导电岛的第二型半导体层、和一个设置在所述第二型半导体层上且具有导电岛的第一型半导体层,所述多个半导体层的导电岛经由导线来电气连接到所述晶元载体的对应的电气连接区;及形成在所述晶元载体的晶元置放表面上使得可覆盖所述发光二极管晶元以及所述多条导线的透光保护层。
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