[发明专利]纳米孔阵列的制作方法有效
| 申请号： | 201210177735.2 | 申请日： | 2012-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN103449355A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 董立军;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种纳米孔阵列的制造方法，包括：施加第一腐蚀液，在基材的两面形成不穿通的多个凹槽或者盲孔；在基材的两面上施加酸碱性不同的第二腐蚀液和第三腐蚀液，继续腐蚀凹槽或者盲孔直至其相互穿通，第二腐蚀液与第三腐蚀液发生中和而停止腐蚀，最终形成纳米孔阵列。依照本发明的纳米孔阵列的制造方法，通过在预先制备好盲孔的基材两面分别施加酸碱性不同的腐蚀液，利用酸碱中和的化学自停止来控制纳米孔的腐蚀，具有简单低成本并且高效率的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
一种纳米孔阵列的制造方法，包括：施加第一腐蚀液，在基材的两面形成不穿通的多个凹槽或者盲孔；在基材的两面上施加酸碱性不同的第二腐蚀液和第三腐蚀液，继续腐蚀凹槽或者盲孔直至其相互穿通，第二腐蚀液与第三腐蚀液发生中和而停止腐蚀，最终形成纳米孔阵列。
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