[发明专利]将金属陶瓷基底与金属体接合的方法有效
| 申请号： | 201210177618.6 | 申请日： | 2012-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102810487B | 公开（公告）日： | 2017-12-26 |
| 发明（设计）人： | 海科·诺尔 | 申请（专利权）人： | IXYS半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/58 | 分类号： | H01L21/58;H01L23/15 |
| 代理公司： | 北京市路盛律师事务所11326 | 代理人： | 李宓 |
| 地址： | 德国兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 通过金属合金将金属陶瓷基底接合到金属体的方法，其中金属陶瓷基底在其至少一侧上具有金属化结构，其中a)使用厚度小于1.0毫米的金属体，b)金属合金，其b‑1)包含铝，和b‑2)具有大于450℃的液相温度，该金属合金设置在金属陶瓷基底和金属体之间，c)将从步骤b)得出的组件加热到大于450℃的温度。根据本发明可以获得的金属陶瓷模块尤其特征在于在金属体和陶瓷基底之间非常牢固的接合。需要用于分离陶瓷基底和金属体的剥离力优选的是大于3N/mm。可以根据本发明获得的金属陶瓷模块的应用领域优选的是包括在电子应用中作为电路载体，而金属陶瓷模块的金属体优选的是起冷却体的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 金属陶瓷 基底 金属 接合 方法 | ||
【主权项】：
通过金属合金层将金属陶瓷基底接合到金属体的方法，其中金属陶瓷基底在其至少一侧上具有金属化结构，其特征在于：a)使用厚度小于1毫米的金属体，金属陶瓷基底朝向金属体的侧面小于金属体朝向金属陶瓷基底的侧面，金属陶瓷基底在远离金属体一侧的金属化结构具有电路结构，并且金属体起冷却体的作用；b)金属合金层，其b‑1)包含铝，和b‑2)具有大于450℃的液相温度，该金属合金层设置在金属陶瓷基底和金属体之间，并且牢固地接合到金属陶瓷基底和金属体的至少一个；c)将从步骤b)得出的组件加热到大于450℃的温度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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