[发明专利]将金属陶瓷基底与金属体接合的方法有效
| 申请号： | 201210177618.6 | 申请日： | 2012-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102810487B | 公开（公告）日： | 2017-12-26 |
| 发明（设计）人： | 海科·诺尔 | 申请（专利权）人： | IXYS半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/58 | 分类号： | H01L21/58;H01L23/15 |
| 代理公司： | 北京市路盛律师事务所11326 | 代理人： | 李宓 |
| 地址： | 德国兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属陶瓷 基底 金属 接合 方法 | ||
1.通过金属合金层将金属陶瓷基底接合到金属体的方法，其中金属陶瓷基底在其至少一侧上具有金属化结构，其特征在于：
a)使用厚度小于1毫米的金属体，金属陶瓷基底朝向金属体的侧面小于金属体朝向金属陶瓷基底的侧面，金属陶瓷基底在远离金属体一侧的金属化结构具有电路结构，并且金属体起冷却体的作用；
b)金属合金层，其
b-1)包含铝，和
b-2)具有大于450℃的液相温度，
该金属合金层设置在金属陶瓷基底和金属体之间，并且牢固地接合到金属陶瓷基底和金属体的至少一个；
c)将从步骤b)得出的组件加热到大于450℃的温度。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：使用还包含硅的合金。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：使用还包含镁的合金。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于：基于合金的总重量，使用包含超过50.0％重量的铝。
5.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其特征在于：金属陶瓷基底以这样的方式接合到金属体，其中金属陶瓷基底在朝向远离金属体的一侧包括金属化结构。
6.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其特征在于：使用在其至少一个表面上具有铜金属化的陶瓷基底。
7.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其特征在于：使用在其至少一个表面上具有铝金属化的陶瓷基底。
8.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其特征在于：产生的金属陶瓷模块的表面至少部分地镀有镍、金、银和/或由这些材料组成的层系统。
9.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其特征在于：使用的金属体包括铝。
10.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其特征在于：使用包括氧化铝、氮化硅和/或氮化铝的陶瓷。
11.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其特征在于：使用包括AlSiC、MoCu、WCu、CuMoCu和/或Cu/不胀钢/Cu的金属体。
12.一种根据权利要求1所述的方法制成的模块，包括金属陶瓷基底和金属体，以及将陶瓷基底接合到金属体并包括金属合金层的接合部，其中金属陶瓷基底在其至少一侧上具有金属化结构，其特征在于：金属体具有小于1毫米的厚度，金属陶瓷基底朝向金属体的侧面小于金属体朝向金属陶瓷基底的侧面，金属陶瓷基底在远离金属体一侧的金属化结构具有电路结构，金属体起冷却体的作用，并且金属合金层包含铝并具有大于450℃的液相温度。
13.根据权利要求12所述的模块，其特征在于：分离陶瓷基底和金属体所需的剥离力大于3N/mm。
14.根据权利要求12或13所述的模块在电器中作为电路载体的应用。
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