[发明专利]MOS管及其形成方法有效
| 申请号： | 201210174059.3 | 申请日： | 2012-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103456630A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种MOS管及其形成方法，其中，所述MOS管的形成方法包括：提供半导体衬底；形成覆盖半导体衬底的电压控制层和覆盖电压控制层的外延本征层；形成位于外延本征层表面的第一栅极结构和位于第一栅极结构两侧的伪侧墙；以第一栅极结构和伪侧墙为掩膜，向所述外延本征层内掺杂形成源/漏区；待形成源/漏区后，形成与第一栅极结构和伪侧墙表面齐平的绝缘层；形成绝缘层后，去除伪侧墙，形成暴露出外延本征层表面的第一开口；通过所述第一开口向外延本征层内掺杂离子，形成防扩散层；在第一开口内形成侧墙，所述侧墙表面与绝缘层表面齐平。形成的MOS管的阈值电压低，消除了热载流子效应，MOS管的性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | mos 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；形成覆盖所述半导体衬底的电压控制层和覆盖所述电压控制层的外延本征层，所述外延本征层和电压控制层内掺杂的离子具有浓度梯度，且所述外延本征层的离子浓度小于所述电压控制层的离子浓度；形成位于所述外延本征层表面的第一栅极结构和位于所述第一栅极结构两侧的伪侧墙；以所述第一栅极结构和伪侧墙为掩膜，向所述外延本征层内掺杂形成源/漏区；待形成源/漏区后，形成与所述第一栅极结构和伪侧墙表面齐平的绝缘层；形成绝缘层后，去除伪侧墙，形成暴露出外延本征层表面的第一开口；通过所述第一开口向外延本征层内掺杂离子，形成防扩散层；在所述第一开口内形成侧墙，所述侧墙表面与绝缘层表面齐平。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210174059.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：低压LDMOS的制造方法
- 下一篇：全自动半导体封装微尘清洗设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
