[发明专利]一种LED外延片及制备方法有效
| 申请号： | 201210171423.0 | 申请日： | 2012-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103456852A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 吴明驰;谢春林;刘函 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED外延片，包括衬底，衬底之上依次形成的缓冲层、n型GaN层、发光层和p型GaN层，所述缓冲层包括：形成在衬底之上的InN层，所述InN层分布有暴露出衬底的空洞；形成在所述InN层之上的第一本征GaN层；形成在所述第一本征GaN层之上的SiNx层，所述SiNx层分布有暴露出第一本征GaN层的空洞；以及形成在所述SiNx层之上的第二本征GaN层。该LED外延片及其制备方法，可减少外延片的缺陷，提高晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED外延片，包括衬底，衬底之上依次形成的缓冲层、n型GaN层、发光层和p型GaN层，其特征在于，所述缓冲层包括：形成在衬底之上的InN层，所述InN层分布有暴露出衬底的空洞；形成在所述InN层之上的第一本征GaN层；形成在所述第一本征GaN层之上的SiNx层，所述SiNx层分布有暴露出第一本征GaN层的空洞；以及形成在所述SiNx层之上的第二本征GaN层。
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