[发明专利]一种LED外延片及制备方法

权利要求书

1.一种LED外延片，包括衬底，衬底之上依次形成的缓冲层、n型GaN层、发光层和p型GaN层，其特征在于，所述缓冲层包括：

形成在衬底之上的InN层，所述InN层分布有暴露出衬底的空洞；

形成在所述InN层之上的第一本征GaN层；

形成在所述第一本征GaN层之上的SiN_x层，所述SiN_x层分布有暴露出第一本征GaN层的空洞；以及

形成在所述SiN_x层之上的第二本征GaN层。

2.如权利要求1所述的一种LED外延片，其特征在于，所述第一本征GaN层为在850～900℃下生长的本征GaN层，所述第二本征GaN层为在1000～1100℃下生长的本征GaN层。

3.如权利要求1所述的一种LED外延片，其特征在于，所述第一本征GaN层的厚度为50～100nm，第二本征GaN层的厚度为2～3um。

4.如权利要求1所述的一种LED外延片，其特征在于，所述InN层的厚度为1～5nm。

5.如权利要求1所述的一种LED外延片，其特征在于，所述SiN_x层的厚度为1～5nm。

6.如权利要求1所述的一种LED外延片，其特征在于，还包括：形成在发光层和p型GaN层之间的AlGaN阻挡层。

7.如权利要求1所述的一种LED外延片，其特征在于，所述衬底为图形化衬底。

8.如权利要求1所述的一种LED外延片，其特征在于，所述衬底为Si衬底、GaN衬底或蓝宝石衬底。

9.如权利要求1所述的一种LED外延片，其特征在于，所述发光层包括：

形成在n型GaN层之上的掺杂多量子阱层；

形成在掺杂多量子阱层之上的非掺杂多量子阱层。

10.一种LED外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底；

在衬底上生长具有暴露出衬底的空洞的InN层；

在具有空洞的InN层上生长第一本征GaN层；

在第一本征GaN层上生长具有暴露出第一本征GaN层的空洞的SiN_x层；

在SiN_x层上形成第二本征GaN层；

在第二本征GaN层上形成n型GaN层；

在n型GaN层上形成发光层；

在发光层上形成p型GaN层。

11.如权利要求10所述的一种LED外延片的制备方法，其特征在于，在衬底上生长具有暴露出衬底的空洞的InN层，包括：

在衬底上生长InN层；

对InN层进行高温处理，使InN层发生分解并形成暴露出衬底的空洞。

12.如权利要求10所述的一种LED外延片的制备方法，其特征在于，还包括：在发光层和p型GaN层之间形成AlGaN阻挡层。

13.如权利要求10所述的一种LED外延片的制备方法，其特征在于，在n型GaN层上形成发光层，包括：

在n型GaN层上形成掺杂多量子阱层；

在掺杂多量子阱层上形成非掺杂多量子阱层。