[发明专利]减少晶圆边缘聚合物沉积的刻蚀控制方法在审
| 申请号： | 201210170665.8 | 申请日： | 2012-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN103456623A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 陈宏;许昕睿;方伟;殷冠华 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种减少晶圆边缘聚合物沉积的刻蚀控制方法，包含：步骤1、对于将要进行产生聚合物多的等离子体刻蚀制程的处理腔室，使其至少闲置20-30分钟以处于非工作状态，用于冷却处理腔室；步骤2、在闲置了一段时间的处理腔室内，对晶圆进行产生聚合物多的等离子体刻蚀制程。本发明针对之前进行高功率刻蚀制程、后续又紧接着进行低功率且高聚合物的刻蚀制程的处理腔室，在前后两次刻蚀制程之间，采用闲置冷却处理腔室一定时间段的方法，能有效减少后一次产生聚合物多的刻蚀制程中在晶圆边缘沉积形成的聚合物，使得晶圆边缘缺失的问题得到改善；并且有效增强刻蚀后晶圆表面的均匀性，提高晶圆的刻蚀效果和产品质量。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 边缘 聚合物 沉积 刻蚀 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种减少晶圆边缘聚合物沉积的刻蚀控制方法，其特征在于，具体包含以下步骤：步骤1、对于将要进行产生聚合物多的等离子体刻蚀制程的处理腔室，使其闲置一段时间以处于非工作状态，用于冷却处理腔室；步骤2、在闲置了一段时间的处理腔室内，对晶圆进行产生聚合物多的等离子体刻蚀制程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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