[发明专利]用于显现MOS器件的AA结构缺陷的腐蚀方法有效
| 申请号： | 201210169502.8 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN103456618A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 徐伟;蔡妮妮;方昭蒂;潘永吉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张骥 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于显现MOS器件的AA结构缺陷的腐蚀方法，包括以下步骤：第一步，将样品倒置，放入质量百分比为49%的氢氟酸中浸泡2.5±0.5分钟；在浸泡的同时，每30秒用去离子水冲洗之后，再用氮气枪吹一下样品表面；第二步，如N型MOS管失效，将样品在第一混酸中浸泡5～8秒；如P型MOS管失效，将样品在第二混酸中浸泡30～35秒；第三步，确认腐蚀结果，找出具体的失效模式。本发明针对不同的MOS管，使用不同的混酸来有效、清楚地显现AA结构上的缺陷，能够提高失效分析结果的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 显现 mos 器件 aa 结构 缺陷 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种用于显现MOS器件的AA结构缺陷的腐蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，将样品倒置，放入质量百分比为49％的氢氟酸中浸泡2.5±0.5分钟；在浸泡的同时，每30秒用去离子水冲洗之后，再用氮气枪吹一下样品表面；第二步，如N型MOS管失效，将样品在第一混酸中浸泡5～8秒；如P型MOS管失效，将样品在第二混酸中浸泡30～35秒；第三步，确认腐蚀结果，找出具体的失效模式。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
